题目内容
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[主观题]
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:
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放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:
两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,试:
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。
两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。
如下图所示的差动放大电路,场效应管V1、V2特性相同,IDSS=1mA,UGS(off)=-2V,晶体管的UBE=0.7V,求:
放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:
(1)静态工作点ICQ和UCEQ;
(2)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;
(3)电压放大倍数。
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:
(1)静态工作点ICQ、UCEQ;
(2)rbe
(3)电压放大倍数Au
对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管),并区分电极E、B、C。