两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
双端输入、双端输出的差动放大电路如下图所示,晶体管β=50,rbe=3kΩ,其他参数标在图中,试解答:
(1)求静态管压降UCEQ;
(2)当uid=10mV时,输出电压uo为何值?
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:
两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,试:
如下图所示的差动放大电路,场效应管V1、V2特性相同,IDSS=1mA,UGS(off)=-2V,晶体管的UBE=0.7V,求:
放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:
(1)静态工作点ICQ和UCEQ;
(2)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;
(3)电压放大倍数。
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:
(1)静态工作点ICQ、UCEQ;
(2)rbe
(3)电压放大倍数Au
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。