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[主观题]

已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV，试计算其中心辐射波长。

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更多“已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV，试计算其中心辐射…”相关的问题

第1题

某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为（）纳米。

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第2题

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合()

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（)

A.hfhf＞Eg

B.hf=Eg

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第3题

已知两个半导体光源的有源层禁带宽度分别为1.43eV和0.8eV，求中心辐射波长各为多少？

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第4题

材料的禁带宽度，最大的是（)

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第5题

常用的半导体材料的特性参数有()。

A.位错密度

B.电阻率

C.非平衡载流子寿命

D.禁带宽度

E.载流子迁移率

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第6题

半导体材料的能级结构不是分立的单值能级，而是有一定宽度的带状结构，称为 ( )。

A.能带

B.价带

C.导带

D.禁带

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第7题

反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。（)

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第8题

已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（)。

A. 0.886eV

B. 1eV

C. 2eV

D. 1.3eV

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第9题

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

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第10题

在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（)。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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