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[主观题]

已知两个半导体光源的有源层禁带宽度分别为1.43eV和0.8eV，求中心辐射波长各为多少？

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更多“已知两个半导体光源的有源层禁带宽度分别为1.43eV和0.8…”相关的问题

第1题

已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV，试计算其中心辐射波长。

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第2题

‎以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件？（)‌

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

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第3题

要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。（)

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第4题

材料的禁带宽度，最大的是（)

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

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第5题

某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为（）纳米。

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第6题

常用的半导体材料的特性参数有()。

A.位错密度

B.电阻率

C.非平衡载流子寿命

D.禁带宽度

E.载流子迁移率

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第7题

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关

A.杂质浓度和温度

B.温度和禁带宽度

C.杂质浓度和禁带宽度

D.杂质类型和温度

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第8题

半导体材料的能级结构不是分立的单值能级，而是有一定宽度的带状结构，称为 ( )。

A.能带

B.价带

C.导带

D.禁带

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第9题

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

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第10题

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合()

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（)

A.hfhf＞Eg

B.hf=Eg

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