题目内容
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[主观题]
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合()
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（)
A.hfhf＞Eg
B.hf=Eg
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硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1).禁带宽度
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2).电阻率、载流子迁移率
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3).非平衡载流子寿命
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
