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[主观题]

如图所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压uT=

(),如果是耗尽型,说明它的夹断电压uP=(),其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压uT=(),如

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第1题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题
试定性画出P沟道增强型MOS场应管的转移特性和输出特性曲线。

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第4题
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型,其开启电压UGS(th)为多少?若是耗尽

下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型,其开启电压UGS(th)为多少?若是耗尽型,其夹断电压UGS(off)为多少?(图中iD的正方向假定为流进漏极)。

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第5题
图题4.1.1所示为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如是增强型,说明它的开启电压VT
等于多少;如是耗尽型,说明它的夹断电压Vp等于多少。

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第6题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。

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第7题
分析如图所示时序电路的逻辑功能,写出电路的激励方程、状态转移方程和输出方程。画出状态转移图,说明电路是否

具有自启动特性。

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第8题
分析如图所示的异步时序电路的逻辑功能,写出电路激励方程、状态转移方程和输出方程,画出状态转移图,说明电路

是否具有自启动特性。

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第9题
N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域:______、______和______。

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第10题
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th

各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。

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第11题
试分别画出N沟道和P沟道JFET的输出特性和转移特性示意图,并在特性曲线中标出iD、uDS、UGS、IDSS和Up等参数,说

试分别画出N沟道和P沟道JFET的输出特性和转移特性示意图,并在特性曲线中标出iD、uDS、UGS、IDSS和Up等参数,说明UDS、UGS和Up在两种沟道JFET中极性。

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