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第2题
工作在某放大电路中的一个晶体三极管，若测得它的三个电极的直流电位为：UB =3.6V、UE =2.9V、UC =12V，据此可判断该管为（)。
A.PNP 型 Ge 管
B.PNP 型 Si 管
C.NPN 型 Si 管
D.NPN 型 Ge 管
第4题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶
（1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶
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体三极管的|VA|均为100V，|VBE(on)|=0.7V，并设T23的输入电阻为9.1MΩ，IC17=550μA，|VCC|=|VEE|=15V，试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。
第5题
一NPN型晶体三极管，已知温度为300℃时=150，50℃时=180，试计算在此温度变化范围内，和的相对变化率（相当于30℃)。
一NPN型晶体三极管，已知温度为300℃时
第6题
在NPN型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（)。A.截止B.饱和
在NPN型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是()。
A.截止
B.饱和
C.放大
D.无法判定
第7题
一NPN型硅晶体三极管，已知ICBO=5pA，IB=14.5μA，IC=1.45mA，设VBE（on)=0.7V，试求、、IS、ICEO。
一NPN型硅晶体三极管，已知ICBO=5pA，IB=14.5μA，IC=1.45mA，设VBE(on)=0.7V，试求
、IS、ICEO。
第9题
NPN型和PNP型晶体管的区别是（)。A.由两种不同材料的硅和锗制成B.掺入的杂质元素不同C.P区和N区
A.由两种不同材料的硅和锗制成
B.掺入的杂质元素不同
C.P区和N区的位置不同
第10题
（)构成的H桥电路，上下桥臂不会发生同时导通现象。
A.采用PNP和NPN型晶体管集电极跟随器
B.采用NPN和PNP型晶体管射极跟随器
C.全部采用NPN型晶体管
D.全部采用PNP型晶体管
第11题
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位(对"地")分别如
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位（对"地")分别如
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下表所列，试判别晶体管的三个电极及类型(硅管，锗管，NPN型管，PNP型管)。
