题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
在使用金相显微镜时，若视场明亮，则使用的观察方法是()。
在使用金相显微镜时，若视场明亮，则使用的观察方法是（)。
A 暗场观察
B 明场观察
C 偏光观察
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测量显微镜的孔径光阑放置在( )，视场光阑放置在( )；如果用1/2"的CCD接收图像并用14"的监视器观察图像，要求系统放大倍率为140倍，则显微物镜的放大倍率为( )。
有一测量显微镜，放大率Γ=-100x，物体位于物镜前15mm处；若物镜放大倍率β=-10x，数值孔径NA=0.2，物镜的通光口径为10mm，试求：
(1)显微镜的分辨率。
(2)物镜和目镜的焦距。
(3)不发生渐晕时的视场大小2y。
(4)分划板的大小和位置。
(5)孔径光阑的大小和位置。
(6)出瞳和出瞳距。
(7)画出系统的光路图。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次
B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
在金相显微镜下观擦共晶白口铸铁的组织，其中白色组织是()。
A．F
B．Fe3CⅠ
C．P
D．A
