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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第1题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题
结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第4题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第5题
N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域:______、______和______。

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第6题
场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。()
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第7题
结型场效应管的输出特性曲线可分为()。

A.可变电阻区和饱和区

B.可变电阻区和击穿区

C.饱和区和击穿区

D.可变电阻区、饱和区和击穿区

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第8题
试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。
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第9题
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第10题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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第11题
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。()此题为判断题(对,错)。
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