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第5题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
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场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
第6题
说明场效应晶体管的夹断电压UGS（off)和开启电压UGS（th)的意义。试画出：（1)N沟道绝缘栅增强型；（2)N沟道绝缘栅
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
第7题
说明场效晶体管的夹断电压UGS（off)和开启电压UGS（th)的意义。试画出：（1)N沟道绝缘栅增强型；（2)N沟道绝缘栅耗
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
第10题
关于场效应管，下列（）说法错误。
A.场效应管只有一种载流子导电，所以是单极型器件
B.场效应管是电压控制电流型器件，分为MOSFET和JFET两大类
C.MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成机理不同，NMOS管和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种
D.JFET也分N沟道和P沟道，所以也各有增强型和耗尽型两种
