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[主观题]

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:

(1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

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第1题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。

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第2题
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(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?

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第3题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
根据下图(a)、(b)所示场效应管输出特性曲线,分别作出uDS=8V时的转移特性曲线。

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第5题
某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示,试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管,其开启

电压或夹断电压为______V。

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第6题
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各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。

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第7题
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图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为

式中,ID为漏极电流;IDSS是栅压为零时的漏极电流;VP为夹断电压;VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0;信号电压为vs=Vssinωst;本振电压v0=V0sinω0t。 试证明: 1)此混频器能完成混频作用;

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第8题
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结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示,其中设本振电压为vLO(t)=VLOcosωLOt,满足线性时变条件。求:

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第9题
下图为某一场效应管的漏极特性曲线,试由此图判断:

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第10题
假定某企业的短期成本曲线如图所示,试问:

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第11题
用于放大电路中,场效应管工作在特性曲线的______。 A.可变电阻区B.饱和区C.截止区

用于放大电路中,场效应管工作在特性曲线的______。

A.可变电阻区B.饱和区C.截止区

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